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某一ram芯片其容量為512-8位

發(fā)布時(shí)間：2023-05-28 08:48:05 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 133

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某512*8位RAM芯片采用一位讀/寫線控制讀寫,該芯片的引腳至少有__ 計(jì)算機(jī)組成原理存儲(chǔ)器知識(shí)點(diǎn)
某一RAM芯片其容量是512*8位，除電源和接地端外該芯片引線的最少數(shù)目是多少？
某DRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為512K×8位，該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目是?
某DRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為512×8位，問(wèn)該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目分別是多少？
某DRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為512×8位，問(wèn)該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目分別是多少？

某一ram芯片其容量為512-8位

某512*8位RAM芯片采用一位讀/寫線控制讀寫,該芯片的引腳至少有__ 計(jì)算機(jī)組成原理存儲(chǔ)器知識(shí)點(diǎn)

512=2^9, 9+8=17,至少再加上1個(gè)片選和1個(gè)讀寫,一共19根。
然后加上接地，電源，這兩條，就21條了

某一RAM芯片其容量是512*8位，除電源和接地端外該芯片引線的最少數(shù)目是多少？

512*8也就是一個(gè)八位的存儲(chǔ)芯片。并行的話數(shù)據(jù)引腳就是D00-D07八條，加上芯片使能引腳CS，以及讀寫使能R/W，主時(shí)鐘Mclk ，還有什么我忘了。
這種RAM芯片好像沒(méi)有串行的，不過(guò)還是說(shuō)一下，串行SPI總線的話，只需要四根線就可以實(shí)現(xiàn)，SDO，SDI，SCLK，CS。
如果是IIC總線的話，只需要SDA 和SCL兩根線就可以完成數(shù)據(jù)通信。

某DRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為512K×8位，該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目是?

該芯片具有10條地址線和8條數(shù)據(jù)線。

由于該DRAM芯片存儲(chǔ)容量為512K×8位，故其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)最小單位為8位，即一個(gè)字節(jié)，故其數(shù)據(jù)線總共需要8位數(shù)據(jù)線，即8條數(shù)據(jù)線，通常位D(0)~D(7)。

同時(shí)可知存儲(chǔ)器的字量位512K，由2^19=524,288=512K，故此處可以使用19條地址順序表示DRAM的地址。

但DRAM內(nèi)部存儲(chǔ)單元多采用行列結(jié)構(gòu)，即地址線分時(shí)復(fù)用傳輸行列信號(hào)，故地址線數(shù)目應(yīng)縮減為10條地址線。此時(shí)地址取值存在冗余。

DRAN內(nèi)部存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)如下圖：

擴(kuò)展資料

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

DRAM的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)采用二維矩陣結(jié)構(gòu)使DRAM的地址數(shù)據(jù)讀入需要分為行地址數(shù)據(jù)和列地址數(shù)據(jù)兩部分，通過(guò)MCU產(chǎn)生的信號(hào)和DRAM內(nèi)部的寄存器進(jìn)行配置。

DRAM的這種結(jié)構(gòu)和行列地址線的分時(shí)工作極大地提高了DRAM地址線的利用率和DRAM的集成度，大大減少了DRAM的引腳數(shù)。

參考資料：DRAM_百度百科

某一ram芯片其容量為512-8位

某DRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為512×8位，問(wèn)該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目分別是多少？

如果存儲(chǔ)容量為512×8，則有8條數(shù)據(jù)線；因?yàn)?^19=512k，則有19條地址線。

512表示可以存儲(chǔ)512×1024=2^19位數(shù)據(jù)，同時(shí)讀寫8位數(shù)據(jù)。

DRAM芯片是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，DRAM只能保存短時(shí)間的數(shù)據(jù)，需要定期刷新，DRAM要比SRAM復(fù)雜得多，因?yàn)樵贒RAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過(guò)程中，存儲(chǔ)的信息需要不斷刷新，這是它們之間最大的區(qū)別。

擴(kuò)展資料：

DRAM芯片類型：

DRAM可分為多種類型，常用的有fpram/fastpage、edoram、DDR-ram、RDRAM、SGRAM和wram等，本文介紹了其中一種。

DDR RAM（日期率RAM）也稱為DDR SDRAM，這種改進(jìn)的ram與SDRAM基本相同，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘中讀寫兩次數(shù)據(jù)，從而使數(shù)據(jù)傳輸速度加倍。

這是目前使用最多的計(jì)算機(jī)，而且它具有成本優(yōu)勢(shì)，事實(shí)上，它超過(guò)了英特爾Rambus DRAM的另一個(gè)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。在許多高端顯卡中，為了提高帶寬，還配備了高速DDR-ram，可以大大提高3D加速卡的像素渲染能力。

某DRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為512×8位，問(wèn)該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目分別是多少？

存儲(chǔ)容量為512×8，則有8條數(shù)據(jù)線；因?yàn)?^19=512k，則有19條地zd址線。512表示可以存儲(chǔ)512×1024=2^19位數(shù)據(jù)，同時(shí)讀寫8位數(shù)據(jù)。

因?yàn)槠浯鎯?chǔ)容量是512K*8位，則它的數(shù)據(jù)線為8，地址線數(shù)為219=512K。SDRAM的容量=（SDRAM的總單元數(shù)）*（位寬）=(2^24) * 32 =2^29 bit。

注：我這里算的是TQ2440開發(fā)板的整個(gè)SDRAM的總的容量，而不是只單獨(dú)每一片的SDRAM的總的容量。若是單獨(dú)每一片的SDRAM的容量 = 整個(gè)的SDRAM的容量 / 2。

注：這里計(jì)算的單位是bit，若我們把它轉(zhuǎn)化成字節(jié)數(shù)則是 2^29 bit / 8 = 2^26 Byte = 2^6 MB = 64 MB。

擴(kuò)展資料

DDR地址線

DDR3為減少地址線，把地址線分為行地址線和列地址線，在硬件上是同一組地址線；地址線和列地址線是分時(shí)復(fù)用的，即地址要分兩次送出，先送出行地址，再送出列地址。

一般來(lái)說(shuō)列地址線是10位，及A0...A9；行地址線數(shù)量根據(jù)內(nèi)存大小，BANK數(shù)目，數(shù)據(jù)線位寬等決定(感覺(jué)也應(yīng)該是行地址決定其他) 。

bank是存儲(chǔ)庫(kù)的意思，也就是說(shuō)，一塊內(nèi)存內(nèi)部劃分出了多個(gè)存儲(chǔ)庫(kù)，訪問(wèn)的時(shí)候指定存儲(chǔ)庫(kù)編號(hào)，就可以訪問(wèn)指定的存儲(chǔ)庫(kù)，內(nèi)存中劃分了多少個(gè)bank，要看地址線中有幾位BA地址，如果有兩位，說(shuō)明有4個(gè)bank，如果有3位，說(shuō)明有8個(gè)bank

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