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芯片存儲容量的計算公式（芯片存儲容量的計算公式是什么）

發(fā)布時間：2023-06-13 05:16:58 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 105

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本文目錄:

怎么根據(jù)芯片的地址范圍求該芯片的存儲容量？
存儲容量計算公式是什么？
芯片存儲容量計算
SRAM芯片的存儲容量為多少？
某存儲器芯片有地址12根，數(shù)據(jù)線16條。存儲容量是多少？怎么算？就步驟？

芯片存儲容量的計算公式（芯片存儲容量的計算公式是什么）

怎么根據(jù)芯片的地址范圍求該芯片的存儲容量？

用末地址減首地址，加1即為十六進制數(shù)，再用二進制的權(quán)位表示即可，所以根據(jù)該題中EPROM芯片的地址范圍為：30800H ~ 30FFFH，可得芯片的存儲容量為2KB，另外一般EPROM芯片的存儲容量為4KB，再由于無地址重疊，所以芯片存儲容量為2KB。

U1：0xFE000~0xFFFFF，總計8192字節(jié)；

U2：0xFA000~0xFA7FF，總計2048字節(jié)的一半，也就是1024字節(jié)；

U3的地址范圍與U2完全重合，負責2048字節(jié)的另一半，也就是1024字節(jié)。

擴展資料：

存儲容量是一塊存儲芯片上所能存儲的二進制位數(shù)，假設(shè)存儲芯片的存儲單元數(shù)是M，一個存儲單元所存儲的信息的位數(shù)是N，則其存儲容量為M×N。

例如單片6116芯片的地址線是11位，每個存儲單元是8位，則M＝2048，每個存儲單元可存8位，即N＝8，所以6116的存儲容量=2048×8 = 2K×8 ＝2KB。

參考資料來源：百度百科-儲量容量

存儲容量計算公式是什么？

按位計算 (b) ：存儲容量 = 存儲單元個數(shù) x 存儲字長，按字節(jié)計算(B)：存儲容量 = 存儲單元個數(shù) x 存儲字長 / 8。

存儲容量是一種虛擬的數(shù)據(jù)通常是指存儲器可以容納進的二進制的信息。62616964757a686964616fe4b893e5b19e31333431353330容量。

一般來說二進制的信息在儲存器的地址寄存器mar的編址數(shù)和存儲字位數(shù)和積進行顯示的。

存儲容量計算公式的擴展資料

硬盤容量計算方式：750GB SATA實際容量為667(698.5)GB(少于的部分用于操作系統(tǒng)）；CBR影響系數(shù)：是指CBR(恒定碼流）正誤差給存儲容量帶來的影響系數(shù)。

存儲設(shè)備采用RAID5+1的方式布置，每臺存儲需要損耗2塊硬盤，如果IPSAN的硬盤為500GB的側(cè)每臺存儲有效容量為6.316TB;如果IPSAN的硬盤為750GB的側(cè)每臺存儲有效容量為9.119TB存儲模式與硬盤數(shù)量關(guān)系。

模式1，部署JBOD盤，采用750G硬盤有效容量667GB，單機16個有效盤位總?cè)萘繛?0.672TB，不考慮存儲數(shù)據(jù)可靠性為最經(jīng)濟模式。

模式2，部署RAID5但不配熱備盤，采用750G硬盤（有效容量667GB)，單機15個有效盤位總?cè)萘繛?.771TB，不考慮RAID5重建對存儲性能影響，這是最經(jīng)濟的模式。

模式3，部署RAID5且配熱備盤，采用750G硬盤（有效容量667GB)，單機14個有效盤位總?cè)萘繛?.119TB，不考慮RAID5重建對存儲性能影響（允許在壞掉一個硬盤后短時間內(nèi)再壞掉一個硬盤）。根據(jù)各布點區(qū)域監(jiān)控點的數(shù)量可具體計算出所需的存儲容量。

芯片存儲容量計算

芯片容量=2的地址線位數(shù)次方乘以數(shù)據(jù)線位數(shù)
比如地址線8位，數(shù)據(jù)線4位芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位

芯片存儲容量的計算公式（芯片存儲容量的計算公式是什么）

SRAM芯片的存儲容量為多少？

SRAM芯片的存儲容量為64k*16位，該芯片的地址線是16根，數(shù)據(jù)線是16根。

存儲容量的計算公式是：2^n，其中n就表示地址線的數(shù)目。2^16=65536，在計算機中就稱其存儲容量最大可擴展為64K。存儲器芯片容量=單元數(shù)×數(shù)據(jù)線位數(shù)，因此64k*16位芯片的數(shù)據(jù)線是16根。

SRAM的中文意思就是靜態(tài)隨機存取存儲器，是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。

相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

擴展資料

SRAM主要用途：

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。

SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，異步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。

SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅(qū)動電路（FFIO）。

SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

參考資料來源：《單片機初級教程----單片機基礎(chǔ)》張迎新杜小平等編著北京航空航天大學出版社第二章計算機基礎(chǔ)知識 2.3 存儲器

參考資料來源：百度百科--SRAM

某存儲器芯片有地址12根，數(shù)據(jù)線16條。存儲容量是多少？怎么算？就步驟？

主存容量為8KB。

ram芯片的存儲容量＝地址線條數(shù)×數(shù)據(jù)線的條數(shù)bit ＝字數(shù)（存儲單元個數(shù)）×字長。

地址線12根，表示能指示2^12個內(nèi)存單元；而數(shù)據(jù)線16根，表明通過數(shù)據(jù)線每次可以傳送16位(每根線每次只能傳送1位)，即2B(16bit= 2*8bit = 2B)，那么可以理解為內(nèi)存單元的大小等同于數(shù)據(jù)線每次的傳送位數(shù)，同樣為2B，所以主存容量為2^12*2B=8KB。

擴展資料：

每一千個字節(jié)稱為1KB，注意，這里的“千”不是我們通常意義上的1000，而是指1024。即：1KB=1024B。但如果不要求嚴格計算的話，也可以忽略地認為1K就是1000。 4）。

每1024個KB就是1MB（同樣這里的K是指1024），即：1MB=1024KB=1024×1024B=1,048,576B這是準確的計算。如果不精確要求的話，也可認為1MB=1,000KB=1,000,000B。

另外需要注意的是，存儲產(chǎn)品生產(chǎn)商會直接以1GB=1000MB，1MB=1000KB ，1KB=1000B的計算方式統(tǒng)計產(chǎn)品的容量，這就是為何買回的存儲設(shè)備容量達不到標稱容量的主要原因（如320G的硬盤只有300G左右）

每1024MB就是1GB，即1GB=1024MB，例如一張軟盤是1.44MB、一張CD光盤是650MB、一塊硬盤是120GB。一篇10萬漢字的小說，如果我們把存到磁盤上，需要占用100,000漢字=200,000B=200,000B÷1024≈195.3KB≈195.3KB÷1024≈0.19MB。

參考資料來源：百度百科-存儲容量

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