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內(nèi)存漲價原因2021（內(nèi)存漲價原因2017）

發(fā)布時間：2023-05-19 23:34:05 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 69

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本文目錄:

內(nèi)存為什么漲價
內(nèi)存為什么要漲價啊
為什么內(nèi)存條不斷漲價，內(nèi)存條漲價的原因是什么？
U盤，內(nèi)存全面漲價的原因是什么
為什么內(nèi)存條漲價厲害，漲了一倍多

內(nèi)存漲價原因2021（內(nèi)存漲價原因2017）

內(nèi)存為什么漲價

由于市場對DDR2內(nèi)存，特別是DDR2-667內(nèi)存需求量大增，導致DDR2-667內(nèi)存嚴重缺貨。內(nèi)存廠商在無法滿足市場需求的情況下，紛紛提升DDR2-667內(nèi)存價格。同時，DDR2-667內(nèi)存芯片供應(yīng)商也相應(yīng)提升顆粒出貨價格，比如三星電子DDR2-667報價就提升到5.6美金，其它內(nèi)存芯片廠商的DDR2-67價格也提升到5美金以上。
內(nèi)存廠商表示，目前市場對內(nèi)存類型的需求從DDR迅速轉(zhuǎn)移到DDR2內(nèi)存上，顯示DDR內(nèi)存即將走到市場生命的末期。廠商表示，DDR2-533內(nèi)存需求也大幅度提升，但是不至于像DDR2-667那樣出現(xiàn)嚴重缺貨的現(xiàn)象。
預(yù)計DDR2-667內(nèi)存缺貨問題將持續(xù)到今年第4季度，第4季度圣誕節(jié)假期需求旺季將繼續(xù)刺激DDR2-667內(nèi)存價格攀升，同時也提升內(nèi)存廠商和內(nèi)存顆粒廠商的第4季度利潤的提升。

內(nèi)存為什么要漲價啊

　內(nèi)存行業(yè)觀察者DRAMeXchange集邦科技最新統(tǒng)計結(jié)果顯示，DRAM協(xié)議價已經(jīng)突破了最近18個月的新高點。進入2017年僅過了一個月，4Gb DDR4內(nèi)存顆粒的協(xié)議價已經(jīng)從2.837美元上升到3.347美元，漲幅達到了18%！而這僅僅是上游廠商的顆粒原料價，中間的內(nèi)存控制器、PCB板以及組裝成本都在逐漸上漲，可想而知到一條內(nèi)存成品誕生，其零售價的漲幅會非常的大。
DRAM顆粒嚴重缺貨
　　漲價，總是離不開市場的供需關(guān)系。顯然，內(nèi)存這次漲價，這是主因，DRAM顆粒為什么會缺貨呢？
　　由于內(nèi)存市場不景氣，更新?lián)Q代遲緩，市場需求不旺盛，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而且將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND閃存，造成DRAM內(nèi)存供需短缺。
更新?lián)Q代致產(chǎn)能不足
　　DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來，至今已經(jīng)走過了8個年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來說，內(nèi)存發(fā)展可謂相當緩慢。DDR4在2015年小規(guī)模面世，真正大規(guī)模鋪向市場是2016年。相比于DDR3，DDR4內(nèi)存大不同，電壓、時序、頻率都相應(yīng)變化，連金手指也不同，工廠由DDR3轉(zhuǎn)DDR4內(nèi)存生產(chǎn)，這勢必造成一時產(chǎn)能的壓力。
人民幣匯率持續(xù)走低
　　內(nèi)存的DRAM，閃存的NAND都是非常依賴進口，人民幣匯率持續(xù)走低，以美元為結(jié)算的貨幣體系下，漲價是必然的結(jié)果。不光是SSD、內(nèi)存，幾乎全部的數(shù)碼電子產(chǎn)品今年都一定程度漲價。在DIY領(lǐng)域，包括主板、機箱、顯卡等近期都有漲價的趨勢或已經(jīng)開始漲價。
猜想，還有一只無形的手
　　全球的DRAM內(nèi)存顆粒市場上，三星、SK海力士、美光已經(jīng)呈現(xiàn)三分天下的架勢，其中三星無論工藝、產(chǎn)能還是占有率都有絕對優(yōu)勢。2014年第一個量產(chǎn)20nm DRAM工藝之后，如今三星再次領(lǐng)跑，已經(jīng)量產(chǎn)了18nm DRAM。據(jù)韓國媒體報道，三星去年已經(jīng)將70％的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)換到20nm，如今又進入了18nm時代，領(lǐng)先優(yōu)勢進一步擴大。相比之下，SK海力士明年初才會量產(chǎn)18nm DRAM，而美光還停留在前往20nm的路上。

為什么內(nèi)存條不斷漲價，內(nèi)存條漲價的原因是什么？

內(nèi)存條漲價短期原因主要有：

半導體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場技術(shù)升級，閃存需要從2D過度到3D，從而沒有錢在DRAM產(chǎn)線投資。

手機產(chǎn)業(yè)RAM需求增大，原來都是1G，2G?，F(xiàn)在動輒4G，6G。

半導體周期。很多半導體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)強周期性，一陣升，一陣猛降。和國內(nèi)著名的“豬周期”比較像?，F(xiàn)在是上升期。

長期原因就是壟斷了，整個市場都被三星、海力士和美光這幾家巨頭壟斷，三家合計市場占有率超過95%！市場壟斷必然帶來價格壟斷。

短期原因過一陣就可以緩解，長期原因就要看中國半導體產(chǎn)業(yè)的崛起了。

半導體領(lǐng)域有個著名的“反周期定律”。典型的例子就是三星，它充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進一步下殺產(chǎn)品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)，從而在價格上升時大賺特賺。三星依靠韓國政府，在很多領(lǐng)域都這樣玩，例如LCD，閃存和內(nèi)存。他們這對搭檔這么玩，玩死了很多美國和日本公司。

中國動員能力更強，紫光有發(fā)改委背書，目前似乎正在玩“反周期定律”2.0，即更大的投資，更快的崛起。相信很快就能在DRAM占據(jù)一席之地，到那時候才是DRAM真正價格下跌的時候。

內(nèi)存漲價原因2021（內(nèi)存漲價原因2017）

U盤，內(nèi)存全面漲價的原因是什么

U盤和內(nèi)存全面漲價的原因如下：

1、2D的生產(chǎn)線被3D所代替，而3D的量產(chǎn)嚴重不足所以在供不應(yīng)求的市場上會整體抬高出廠價，所以在市場中的反饋就是儲存類的單科物料開始逆勢上揚；

2、智能手機內(nèi)存、閃存容量越來越大，推動了市場需求走高。目前很多手機廠商開始推出大容量的手機；

3、閃存在國際上都是以美金結(jié)算，人民幣對美金匯率持續(xù)貶值，據(jù)說ZF的目標是年內(nèi)跌到7，所以內(nèi)存上漲是大勢所趨；

4、國人炒高價格；

5、在第四季度蘋果公司還將發(fā)布新品筆記本電腦甚至平板電腦，而這些設(shè)備依舊還得消耗相當比重的閃存顆粒，這就更加劇了閃存顆粒的稀缺，引發(fā)固態(tài)硬盤等存儲市場的漲價。

此前也有過內(nèi)存顆粒漲價但或因為天災(zāi)或為人禍，生產(chǎn)國發(fā)洪水或生產(chǎn)廠發(fā)生火災(zāi)。引發(fā)的小范圍內(nèi)的價格波動，但是現(xiàn)在的儲存類的價格上漲是一種行業(yè)內(nèi)部的規(guī)模性上漲，是整個儲存行業(yè)的整體性上揚。

所有的存儲都是核心閃存圓晶也就是閃存顆粒了，全球各大科技企業(yè)都在制造自己的圓晶廠，和研發(fā)更加現(xiàn)金的閃存顆粒，然而閃存的制造一直都被幾家公司壟斷了，九城的閃存顆粒市場被三星、英特爾、東芝、閃迪、美光、海力士等六家半導體制造商所壟斷。

為什么內(nèi)存條漲價厲害，漲了一倍多

內(nèi)存漲價無外乎這么幾個原因，

需求量上升，這里又包含兩個方面，民用和商用，誘發(fā)的原因是新的平臺，無論intel還是amd都只能支持ddr4，今年無論是商用還是民用采購，基本都是ddr4平臺，需求量是一個主要原因；

經(jīng)濟環(huán)境不好，2017全球經(jīng)濟形勢都不好，ram的主要生產(chǎn)企業(yè)都削減了產(chǎn)能，進一步加劇供不應(yīng)求的狀況；

壟斷，ram的產(chǎn)地是韓國，主要企業(yè)是三星，海力士，這兩家只要達成一個協(xié)議，價格不漲才怪，而且目前的財報來看，ram漲價以后，這兩家在內(nèi)存顆粒的盈利是賺了非常多；

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