-
當前位置:首頁 > 創(chuàng)意學院 > 營銷推廣 > 專題列表 > 正文
- MLC與TLC顆粒的差別是什么?
- SSD的顆粒類型,MLC和TLC哪種顆粒的好?
- SLC,MLC和TLC芯片三者的區(qū)別
- iphone11tlc芯片是索尼嗎
- 現(xiàn)在U盤都是TLC芯片,頻繁使用豈不是幾天就掛了?
TLC芯片
大家好!今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關(guān)于TLC芯片的問題,以下是小編對此問題的歸納整理,讓我們一起來看看吧。
開始之前先推薦一個非常厲害的Ai人工智能工具,一鍵生成原創(chuàng)文章、方案、文案、工作計劃、工作報告、論文、代碼、作文、做題和對話答疑等等
只需要輸入關(guān)鍵詞,就能返回你想要的內(nèi)容,有小程序、在線網(wǎng)頁版、PC客戶端和批量生成器
問友Ai官網(wǎng):https://ai.de1919.com。
本文目錄:
MLC與TLC顆粒的差別是什么?
mlc、tlc閃存芯片顆粒區(qū)別
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell
SLC 和MLC分別是是Single-Level Cell 單層單元和Multi-Level
Cell多層單元的縮寫,SLC的特點是成本高、容量小、速度快
而MLC的特點是容量大成本低,但是速度慢
MLC的每個單元是2bit的,相對SLC來說整整多了一倍
不過,由于每個MLC存儲單元中存放的資料較多,結(jié)構(gòu)相對復雜,出錯的幾率會增加,必須進行錯誤修正
這個動作導致其性能大幅落后于結(jié)構(gòu)簡單的SLC閃存
MLC和TLC特性比較
結(jié)論:MLC > TLC
SSD的顆粒類型,MLC和TLC哪種顆粒的好?
在U盤、SSD等固態(tài)存儲產(chǎn)品中,閃存芯片顆粒是核心,其關(guān)乎產(chǎn)品成本、壽命以及速度。閃存芯片顆粒主要有三種類型,分別為SLC、MLC、TLC,三者之間的區(qū)別,如下:
slc、mlc、tlc閃存芯片顆粒區(qū)別介紹
1、SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快壽命長,價格貴(約MLC 3倍以上的價格),約10萬次擦寫壽命;
2、MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價格一般,約3000---10000次擦寫壽命。
3、TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash廠家叫8LC,速度慢壽命短,價格便宜,約500-1000次擦寫壽命。
固態(tài)硬盤簡介:
固態(tài)硬盤(Solid State Drives),簡稱固盤,固態(tài)硬盤(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤,由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同,在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。被廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導航設(shè)備等領(lǐng)域。
其芯片的工作溫度范圍很寬,商規(guī)產(chǎn)品(0~70℃)工規(guī)產(chǎn)品(-40~85℃)。雖然成本較高,但也正在逐漸普及到DIY市場。由于固態(tài)硬盤技術(shù)與傳統(tǒng)硬盤技術(shù)不同,所以產(chǎn)生了不少新興的存儲器廠商。廠商只需購買NAND存儲器,再配合適當?shù)目刂菩酒涂梢灾圃旃虘B(tài)硬盤了。新一代的固態(tài)硬盤普遍采用SATA-2接口、SATA-3接口、SAS接口、MSATA接口、PCI-E接口、NGFF接口、CFast接口和SFF-8639接口。
隨著互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展,人們對數(shù)據(jù)信息的存儲需求也在不斷提升,現(xiàn)在多家存儲廠商推出了自己的便攜式固態(tài)硬盤,更有支持Type-C接口的移動固態(tài)硬盤和支持指紋識別的固態(tài)硬盤推出。
SLC,MLC和TLC芯片三者的區(qū)別
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸,最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到MLC(Multi-Level Cell)技術(shù)接棒后,架構(gòu)演進為1個存儲器儲存單元存放2位元。
2009年TLC架構(gòu)正式問世,代表1個存儲器儲存單元可存放3位元,成本進一步大幅降低。
如同上一波SLC技術(shù)轉(zhuǎn)MLC技術(shù)趨勢般,這次也是由NAND Flash大廠東芝(Toshiba)引發(fā)戰(zhàn)火,之后三星電子(Samsung Electronics)也趕緊加入戰(zhàn)局,使得整個TLC技術(shù)大量被量產(chǎn)且應(yīng)用在終端產(chǎn)品上。
TLC芯片雖然儲存容量變大,成本低廉許多,但因為效能也大打折扣,因此僅能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上,象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。
iphone11tlc芯片是索尼嗎
iphone11tlc芯片不是索尼。根據(jù)查詢相關(guān)信息:蘋果攝像頭是索尼的,蘋果沒有去自研攝像頭組件,iPhone全系都是使用的索尼攝像頭組件,蘋果11芯片都是自己生產(chǎn)的。現(xiàn)在U盤都是TLC芯片,頻繁使用豈不是幾天就掛了?
不是這樣的, TLC芯片的寫入次數(shù)一般認為是1000~1500次,但是這個寫入次數(shù)是指的使用芯片全部容量進行一次完整擦除的次數(shù),而不是一次簡單復制文件就算一次寫入,而且U盤的主zd控都有優(yōu)化算法會平均所有存儲單元的寫入次數(shù),所以TLC芯片的壽命并不像一般想象的那么短。
與MLC相似的是,這種技術(shù)同樣是在價格上占了優(yōu)勢,比MLC更便宜,不過壽命/速度則更差于MLC,而且TLC通常是和高制程同時出現(xiàn)的,導致目前一些采用TLC的U盤速度慘不忍睹,壽命更是沒底(有人說只能達到1000多次)。
擴展資料
一種名為TLC的架構(gòu)(有些地方稱3LC)已批量應(yīng)用于閃存芯片上,這種架構(gòu)與MLC采用近似原理,只不過MLC是1個單元2個bit,而TLC則是1個單元3個bit,回想一下MLC和SLC的差距,基本上TLC在同樣的方面比MLC還要差上一大截。
TLC的數(shù)據(jù)保存期限是個問題。具體參數(shù)未知,一般認為寫入后斷電狀態(tài)(通電狀態(tài)保存期會縮短)30℃保存,SLC可安全保存10年,34nm MLC是1年,工業(yè)級MLC是3個月(犧牲保存期限和寫入速度來換取3萬次的寫入耐久度),但可以肯定達不到同制程MLC的一 半。
以上就是關(guān)于TLC芯片相關(guān)問題的回答。希望能幫到你,如有更多相關(guān)問題,您也可以聯(lián)系我們的客服進行咨詢,客服也會為您講解更多精彩的知識和內(nèi)容。
推薦閱讀:
westlink西遇 vi設(shè)計(westlink西遇官網(wǎng))
openai中國注冊不了(opensubtitles注冊不了)
2017國產(chǎn)空調(diào)十大排名(國產(chǎn)空調(diào)最新排名)