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VI族是第幾族（viia族是第幾族）

發(fā)布時(shí)間：2023-04-04 01:47:22 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 132 當(dāng)前文章關(guān)鍵詞排名出租

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文章目錄列表:

1、第2題，那個(gè)iiiAviia我知道表示的是族的第幾個(gè)，但是我不會看這些表示的是第幾個(gè)，求大神教一下
2、第VI族元素價(jià)電子的排布通式是什么？
3、元素周期表有多少族？同周期元素，原子結(jié)構(gòu)的相同點(diǎn)是什么？所含元素種類最多的是第幾周期
4、半導(dǎo)體工藝流程中的前段（F）后段（B）一般是如何劃分的，為何要這樣劃分？

VI族是第幾族（viia族是第幾族）

一、第2題，那個(gè)iiiAviia我知道表示的是族的第幾個(gè)，但是我不會看這些表示的是第幾個(gè)，求大神教一下

VI族是第幾族（viia族是第幾族）

二、第VI族元素價(jià)電子的排布通式是什么？

無機(jī)化學(xué)：VIII族元素的價(jià)層電子排布是什么價(jià)電子,簡單理解就是影響化合價(jià)的電子,所以,主族元素的價(jià)電子,就是最外層電子過渡元素的價(jià)電子,除了最外層電子之外,還可以是次外層甚至是倒數(shù)第三層的電子對照周期表,可以發(fā)現(xiàn),d區(qū)元素的價(jià)電子包括最外層電子,還有次外層上的d電子f區(qū)元素,甚至倒數(shù)第三層上的f電子也可以是價(jià)電子ds區(qū)的IB族元素價(jià)電子包括最外層電子和次外層的d電子,而IIB元素的價(jià)電子則主要就是最外層的s電子一般,我會要學(xué)生注意周期表中的上下遞增關(guān)系,然后記憶2個(gè)關(guān)系：一是,周期表從左到右的族的變化,IA、IIA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII包括3個(gè)縱行、IB、IIB、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、0；第IA主族的核電荷數(shù),H-1,Li-3,Na-11,K-19,Rb-37,Cs-55,Fr-87,下一個(gè)-119,一般記住這幾個(gè)就夠了,若給出一個(gè)不熟悉的,就和這幾個(gè)對照,看在它們的后面還是前面,再推算具體的位置112號,在119前第7個(gè)位置,所以從119倒推,處于第7周期IIB族,價(jià)電子是7s277號,在87號前第10個(gè)位置,處于第6周期第VIII族,價(jià)電子是5d7 6s233號,在37號前第4個(gè),處于第4周期VA族,價(jià)電子4s2 4p3

三、元素周期表有多少族？同周期元素，原子結(jié)構(gòu)的相同點(diǎn)是什么？所含元素種類最多的是第幾周期

元素周期表共16個(gè)族，其中7個(gè)主族，7個(gè)副族，一個(gè)零族，一個(gè)第Ⅷ族。

原子的電子構(gòu)型和元素的分區(qū)在s區(qū)、d區(qū)、ds區(qū)、p區(qū)、f區(qū)；同時(shí)結(jié)構(gòu)性質(zhì)也是一個(gè)。

第6周期的元素最多，共32個(gè)！第七周期和他一樣多，但不夠穩(wěn)定。

除第1周期外，其他周期元素（稀有氣體元素除外）的原子半徑隨原子序數(shù)的遞增而減小；同一族的元素從上到下，隨電子層數(shù)增多，原子半徑增大。（五、六周期間的副族除外）

VI族是第幾族（viia族是第幾族）

擴(kuò)展資料：

除第1周期外，同周期從左到右，第二周期元素最高正價(jià)由堿金屬+1遞增到氮元素+5（氟無正價(jià)，氧無最高正價(jià)），其他周期元素最高正價(jià)由堿金屬+1遞增到+7，非金屬元素負(fù)價(jià)都由碳族-4遞增到-1。同一主族的元素的最高正價(jià)、最低負(fù)價(jià)均相同。（ⅥA、ⅦA、0族除外）

同一周期元素隨原子序數(shù)的遞增，元素組成的金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)遞增，非金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)遞減；（副族熔點(diǎn)在VIB族達(dá)到最高，以后依次遞減）

同一族元素從上到下，元素組成的金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)遞減，非金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)遞增。（副族不規(guī)則）

四、半導(dǎo)體工藝流程中的前段（F）后段（B）一般是如何劃分的，為何要這樣劃分？

芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）。

測試工序（Initial Test and Final Test）等幾個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序?yàn)榍岸危‵ront End）工序，而構(gòu)裝工序、測試工序?yàn)楹蠖危˙ack End）工序。

按照其制造技術(shù)可分為分立器件半導(dǎo)體、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。

此外，IC除了在制造技術(shù)上的分類以外，還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，最近雖然不常用。

但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。

晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)。

但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。

VI族是第幾族（viia族是第幾族）

擴(kuò)展資料：

（1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對硅、錫的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運(yùn)用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。

硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，利于自動(dòng)化工業(yè)生產(chǎn)。

（2）無機(jī)合成物半導(dǎo)體。無機(jī)合成物主要是通過單一元素構(gòu)成半導(dǎo)體材料，當(dāng)然也有多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，主要的半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族。V族與VI族；

VI族與VI族的結(jié)合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影響，不是所有的化合物都能夠符合半導(dǎo)體材料的要求。這一半導(dǎo)體主要運(yùn)用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他材料都高，主要運(yùn)用到光電集成電路、抗核輻射器件中。對于導(dǎo)電率高的材料，主要用于LED等方面。

參考資料來源：百度百科-半導(dǎo)體

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