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半導體設備廠商排名（spts 半導體設備廠商）
發(fā)布時間：2023-04-07 12:45:15
稿源：
創(chuàng)意嶺 閱讀：
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大家好！今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關于半導體設備廠商排名的問題，以下是小編對此問題的歸納整理，讓我們一起來看看吧。
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本文目錄:
一、全球前5大手機芯片廠商有哪些？
世界芯片排名一覽表如下：
1、英特爾
美國一家主要以研制CPU處理器的公司，是全球最大的個人計算機零件和CPU制造商，它成立于1968年，具有46年產(chǎn)品創(chuàng)新和市場領導的歷史。
2、高通
一家美國的無線電通信技術研發(fā)公司，成立于1985年7月，因CDMA技術聞名，為世界上發(fā)展最快的無線技術。
3、海思
海思是全球領先的Fabless半導體與器件設計公司。前身為華為集成電路設計中心，1991年啟動集成電路設計及研發(fā)業(yè)務，為匯聚行業(yè)人才、發(fā)揮產(chǎn)業(yè)集成優(yōu)勢，2004年注冊成立實體公司，提供海思芯片對外銷售及服務。
4、三星
三星集團是韓國最大的跨國企業(yè)集團，三星一直都是閃存技術領域的創(chuàng)新者，提供一系列高性能、高密度、高可靠性的數(shù)據(jù)存儲解決方案，這些解決方案可應用于PC、企業(yè)級存儲、移動設備、品牌SSD和外部內(nèi)存卡。
5、聯(lián)發(fā)科
聯(lián)發(fā)科是全球第四大全球無晶圓廠半導體公司，每年為超過20億臺設備提供芯片。
二、美日韓在芯片領域的霸權是如何一步步確立的
2020年8月7日，華為余承東公開表示海思麒麟高端芯片已經(jīng)“絕版”，中國最強的芯片設計公司，就在我們眼皮子底下被鎖死了未來。
華為海思推出第一款麒麟（Kirin）芯片是在2009年，雖然當時反響一般，但奏響了麒麟騰飛的樂章，隨后每一年都有不小的進步：麒麟925帶領Mate7打入高端陣營；麒麟955助力華為P9銷量過千萬……自己研發(fā)的芯片，成為華為手機甩開國內(nèi)友商的最大武器。
然而到了2020年8月7日，麒麟系列的高端芯片卻被迫提前退休，余承東表示麒麟系列中最先進的Kirin 990和Kirin 1000系列，在9月15日之后將無法生產(chǎn)，華為Mate40將成為麒麟高端芯片的絕唱。絕版的原因很簡單：受到美國禁令影響，臺積電將不再為華為代工。
臺積電并非沒有抗爭。全球高制程工藝一線難求，臺積電話語權其實很強，而且?guī)字芮皠倓偝^英特爾成為世界第一大半導體公司。所以面對美國禁令，臺積電也曾斡旋過，但只要美國提起一個公司的名字，就能讓臺積電高管們嚇出冷汗。這個公司就是： 福建晉華。
福建晉華成立于2016年，目標是在存儲芯片領域實現(xiàn)突破。福建晉華是IDM一體化工藝，即設計、制造、封裝都要做，一旦產(chǎn)品落地，對大陸整個半導體工藝的都會有所帶動和提升。晉華一期投資款高達370億元，還和臺灣第二大代工廠臺聯(lián)電進行了技術合作。
研發(fā)人員日夜奮戰(zhàn)，成立一年多后，晉華就打造出了一座12寸的生產(chǎn)線，并準備投產(chǎn)，不料卻迎來了 資本主義的鐵拳。
2017年12月，美國鎂光 科技 即刻以竊取知識產(chǎn)權為由開始狙擊晉華，晉華也不甘示弱，雙方在中國福州和美國加州互相起訴。就當局勢焦灼之時，早就虎視眈眈的特朗普政府在2018年10月29日發(fā)起了閃電戰(zhàn)： 將福建晉華列入實體名單，嚴禁美國企業(yè)進行合作。
禁令發(fā)出后，和晉華合作的美國應用材料公司（Applied Materials）的研發(fā)支持人員當天就打包撤離，另外兩家美商科磊和泛林也迅速召回了前來合作的工程師。更嚴重的是，由于設備中含有美國原件，歐洲的阿斯麥、日本東京電子也暫停了對晉華的設備供應。
晉華員工回憶外資撤退場景時，總結說：“這些人根本給我們時間道別?！?/p>
福建晉華官網(wǎng)上的生產(chǎn)進度，停留在了2018年試投片日，遲遲沒有更新，而產(chǎn)品頁則直接顯示“頁面在建設”中。去年5月10日，英國《金融時報》稱，晉華已經(jīng)開始尋求出租或者出售自己的工廠。僅僅一個回合，擔當中國存儲突破的種子選手，就被打倒在了起跑線上。
“實體名單”就像是一份死刑通知書，可以瞬間讓企業(yè)墜入地獄。美國制裁的決心、打擊的力度，令同樣采用美國核心零部件和核心技術支撐的臺積電不寒而栗。同樣，本來興致勃勃要來搶臺積電蛋糕的三星沒了下文；中芯也含蓄地表示，可能不能為“某些客戶”代工。
為什么這些公司不愿意去觸碰美國“逆鱗”？半導體領域，美國真的就獨霸天下嗎？其實并不然。
雖然美國半導體行業(yè)產(chǎn)值大約占全世界的47%，體量上處于絕對優(yōu)勢；但韓國、歐洲、日本、中國臺灣、中國大陸等其他“豪強”也各有擅長，與美國的差距并不是無法越過的鴻溝。
比如， 韓國 在產(chǎn)值1500億美金的存儲芯片領域，占據(jù)壓倒性優(yōu)勢，雙強（三星、海力士）占據(jù)65%市場；
歐洲 在模擬芯片領域有三駕馬車（英飛凌、意法半導體、恩智浦），從80年代起就從未跌出全球二十強。
日本 不但有獨步天下的圖像識別芯片，以信越日立為首的幾家公司，更是牢牢扼住了全世界半導體的上游材料。
中國臺灣在千億美元級別的芯片代工領域，更勝美國一籌，臺積電和聯(lián)電占據(jù)60%的規(guī)模，以日月光為首的封測代工也能搶下50%的市場；
中國大陸依托龐大的下游市場，近年芯片設計領域發(fā)展迅速，不但誕生了世界前十的芯片設計巨頭華為海思，整體芯片設計規(guī)模也位居世界第二。
這些企業(yè)從賬面實力來看，甚至可以讓芯片行業(yè)“去美國化”，合力搞出一部沒有美國芯片的手機。 但美國515禁令一下，各路豪強卻莫敢不從。
一超多強的局面似乎就像“紙老虎”，在美國霸權之下，眾半導體商分封而治可能才是目前的“真相”。大家忌憚的，其實是美國手握的兩把利劍：芯片設備和設計工具 。 這兩把劍又和日本的材料一起，組成了威力極強的美日半導體霸權三張牌： 設備、工具和材料。
那么，美日手中握的這三把劍究竟可怕在何處？是如何能挾制各路 科技 巨頭豪強？了解這些答案，才能了解華為們的突圍之路。
一、設備：芯片制造的外置大腦
設備商對于一般行業(yè)而言，就是個賣鏟子的，交錢拿貨基本就完事兒了；但 半導體設備商卻不同，不僅提供設備賣鏟子，還要全程服務賣腦子，可謂是芯片制造商的外置大腦 。
芯片制造成本高昂，只有將良品率控制在90%上下，才不會虧本。但要知道，芯片制造，工序一千起步，這就導致，哪怕每一步合格率都有99%，最終良率都會在0.9*0.9的多次累積下，趨近于0。因此，要想不虧本， 每個步驟的合格率就得控制在99.99%乃至99.999%以上。
要達到這個狀況，就對設備的復雜度提出了超高要求。 就目前最先進的EUV光刻機來說，單臺設備里超過十萬個零件、4萬個螺栓，以及3000多條線路。僅僅軟管加起來，就有兩公里長。這么一臺龐大的設備，重量足足有180噸，單次發(fā)貨需要動用40個貨柜、20輛卡車以及3架貨機才能運完。
而更為重要的是，即使設備買回來，也遠不是像電視冰箱一樣，放好、插電就能開動這么簡單。一般來說，一臺高精度光刻機的調(diào)試組裝，需要一年時間。而零件的組裝、參數(shù)的設置、模塊的調(diào)試，甚至螺絲的松緊、外部氣溫都會影響生產(chǎn)效果。哪怕一里外的一輛地鐵經(jīng)過，都能導致多數(shù)設備集體失靈。
這也是所有精密儀器的“通病”。比如，十年前，北京大學12個高精度實驗室里價值4億元的儀器突然失靈，而原因居然是位于地下13.5米深的北京4號線經(jīng)過了北大東門產(chǎn)生了1Hz~10Hz的震動，為此北大高精度實驗室不得不集體搬家。
因此， 半導體制造設備每開動一段時間，就必須聯(lián)系專門原廠服務人員上門調(diào)校。 荷蘭光刻機巨頭ASML阿斯麥曾有一個客戶，要更換光器件；由于當時阿斯麥的工程師無法出國，便邀請客戶優(yōu)秀員工到公司學習，用了近2個月，才僅僅掌握了單個零部件更換的技能。
因此，阿斯麥、應用材料等半導體巨頭，不只是把設備賣掉就結束了，更是在中國建立了2000人左右的龐大支持團隊。其中應用材料的第二大收入就是服務，營收占比超過25%，而且穩(wěn)定增長，旱澇保收。
而設備廠的可怕之處正在于， 不但通過“一代設備，一代工藝，一代產(chǎn)品”決定了制造廠的工藝制程，更是通過售后服務將制造廠牢牢的拿捏在手中 。 隨著工藝越來越越高精尖，設備商的話語權也正在進一步提升。
設備商的強勢，可以從利潤上明確的反映出來。過去5年，芯片制造廠的頭部效應越來越明顯，但上游設備商的凈利潤率反而大幅提升：泛林利潤率從12%提升到22%，應用材料從14%上升到18%。代工廠想要客大欺店，那是根本不存在。
也正因如此，在長達六十年的時間里，美國一直都在以各種手段，來保證自己在設備領域的絕對主導地位。
根據(jù)2019年全球頂級半導體設備廠商排名，全球前五大半導體設備商占據(jù)了全球58%行業(yè)營收。 其中，美國獨占三席；其余兩席，一席是日本的東京電子，另一席荷蘭的阿斯麥，恰巧，這兩家又都是美國一手扶持起來的。
具體來說，應用材料（AMAT）和泛林（LAM）、科磊（KLA），是根正苗紅的美國企業(yè)。
其中，泛林在刻蝕機的市場占有率高達50%以上。應用材料則不僅在刻蝕機領域與泛林平分秋色，在離子注入、化學拋光等等細分設備環(huán)節(jié)也都占據(jù)半壁江山，甚至高達70%。科磊則在半導體前道檢測設備領域占據(jù)了50%以上的市場，并在鍍膜測量設備的市占率達到了98%。
而光刻機巨頭阿斯麥，看似是一家荷蘭企業(yè)，其實有一顆美國心。 早在2000年前后，光刻機市場還停留在DUV（深紫外）光刻階段，日本尼康才是真正的霸主，但到了EUV（極紫外）階段，尼康卻在美國的一手主導下被淘汰出局。
原因很簡單，EUV技術難度登峰造極： 從傳統(tǒng)DUV跨越到EUV，意味著光源從193nm劇烈縮短到13.5nm。這需要將20KW的激光，以每秒5萬次的頻率來轟擊20微米的錫滴，將液態(tài)錫汽化成為等離子體。這相當于在颶風里以每秒五萬次的頻率，讓乒乓球打中一只蒼蠅兩次。
當年，全球最先進的EUV研發(fā)機構是英特爾與美國能源部帶頭組建的EUV LLC聯(lián)盟， 這里有摩托羅拉、AMD、IBM，以及能源部下屬三大國家實驗室，可謂是集美國科研精華于一身。 可以說，只有進入EUVLLC聯(lián)盟，才能獲得一張EUV的門票。
美國彼時正將日本半導體視為大敵，自然拒絕了日本尼康的入會請求，而阿斯麥則保證55%零部件會從美國供應商處采購，并接受定期審查。這才入了美國的局，從后起之秀變成了“帝花之秀”。
美國不僅對阿斯麥開了門，還送了禮：允許阿斯麥先后收購了美國掩罩技術龍頭Silicon Valley Group、美國光刻檢測與解決方案玩家Brion、美國紫外光源龍頭Cymer等公司。 阿斯麥技術心、研發(fā)身，都打上了星條旗烙印。那還不是任憑美國使喚。
而早年的東京電子，只是美國半導體始祖仙童半導體（Fairchild）的設備代理商，后來又與美國Thermco公司合資生產(chǎn)半導體設備，直到1988年才變成日本獨資，但東京電子身上也已經(jīng)流著美國公司的血。
因此，在2019年六月，面對第一輪美國禁令，東京電子就表示：“那些被禁止與應用材料和泛林做生意的中國客戶，我們也不會跟他們有業(yè)務往來”，義正詞嚴表明了和美系設備商共進退。
至此，美國靠著多年的“時間積累”和超高精密度“工藝技術”，在設備領域形成了牢牢的主動權。而時間和技術，都不是后進者可以一蹴而就的。
二、EDA(設計軟件）：生態(tài)網(wǎng)絡效應下的“幌金繩”
如果說設備是針對芯片生產(chǎn)的一把封喉劍，那么 EDA無疑是芯片設計環(huán)節(jié)的“幌金繩”，雖不致命但可以令“孫悟空”束手束腳、無處施展。
EDA這根“幌金繩”分三段： 首先，它是芯片設計師的“PS軟件+素材庫”， 可以讓芯片設計從幾十年前圖紙上畫線的體力活，變成了軟件里“素材排列組合+敲敲代碼”的腦力活。而且，現(xiàn)在僅指甲蓋大小芯片，也有幾十億個晶體管，這種工程量，離開了EDA簡直是天方夜譚。
20年前的英特爾奔騰處理器的線路圖一角，目前晶體管密度已經(jīng)上升超過1000倍
其次，EDA的奧秘，在于其豐富的IP庫。 即將經(jīng)常使用的功能，標準化為可以直接調(diào)用的模塊，而無需設計公司再重新設計。如果說芯片設計是廚師做菜的話，軟件就是廚具，IP就是料包。
而事實上，EDA巨頭公司，往往是得益于其IP的獨占。比如Cadence（楷登電子）擁有大量模擬電路IP，而其也是模擬及混合信號電路設計的王者；而Synopsys（新思 科技 ）的IP庫更偏向DC綜合、PT時序分析，因而新思在數(shù)字芯片領域獨占鰲頭。
而在全球前三的IP企業(yè)中，EDA公司就占了兩個，合計市場份額高達24.1%。在Synopsys的歷年營收中，IP授權是僅次于EDA授權的第二業(yè)務。
EDA還有一項重要的功能是仿真 ，即幫設計好的芯片查漏補缺。畢竟一次流片（試產(chǎn)）的成本就高達數(shù)百萬美金，頂?shù)蒙弦粋€小設計公司大半年的利潤。業(yè)內(nèi)廣為流傳一句話： 設計不仿真，流片兩行淚。
加州大學教授有一個統(tǒng)計測算，2011年一片SoC的設計費用大概為4000萬美元，而 如果沒有EDA，設計費用則會飆升至77億美元，增加了近200倍。
因此，EDA被譽為半導體里的最高杠桿，雖然全球產(chǎn)值不過一百多億美元，但卻可以影響全球五千多億集成電路市場、幾萬億電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
EDA如此高效好用，那我國自主化狀況如何呢？很可惜，比操作系統(tǒng)還尷尬 。
我國最大的EDA廠商華大九天在全球的份額差不多是1%，而美國三大廠商Synopsys（新思 科技 ）、Cadence（楷登電子）以及Mentor Graphics（明導 科技 ，2016年被西門子收購）則占據(jù)了80%以上的市場。
這也就導致了雖然我國芯片設計位居世界第二，但美國一聲令下，芯片設計就會面臨“工具危機”，巧婦難為無米之炊。不過，既然軟件已經(jīng)交過錢了， 用舊版本難道不行嗎？
很可惜，并不能。
因為這背后有一張EDA商、IP商、代工廠們互相嵌合的生態(tài)網(wǎng)。EDA是不斷更新的。新的版本對應更新的IP庫和PDK文件。而PDK即工藝設計包，則又包含了芯片工藝中的電流、電壓、材料、流程等參數(shù)，是代工廠生產(chǎn)時的必備數(shù)據(jù)。 新EDA、新IP、新工藝，互相促進、互為一體。
因此，用舊版的軟件就會處處“脫節(jié)”：做設計時無法獲得最新的設計IP庫，找代工廠時又無法和工藝需要最新的EDA、PDK進行匹配。長此以往，技術越來越落后，合作伙伴也越來越少。不過既然EDA不過是0101的代碼，從綠色小組里找?guī)讉€高手不就好了嗎？
很遺憾，也幾乎不可能。
每個EDA軟件出廠時都會內(nèi)嵌一個Flexlm加密軟件， 把EDA和安裝的設備進行一一鎖定 ，包括主機號、設備硬盤、網(wǎng)卡、使用日期等信息。而Flexlm的密鑰長度達239位，暴力綠色的難度非常大。如果用英特爾高性能的CPU來綠色的話，需要4000左右的核年（core-year），也就是說 用40核的CPU，需要100年 。
當然，也可以采用分布式的方式，繼續(xù)增加CPU數(shù)量減少時間。然而，即使綠色成功了，來到了全新的IP庫門前時，也會被EDA廠商通過“修改時間、文件大小、確認IP來源”等方式，再次進行驗證，然后被拒絕。油然而生一股挖了百年地下隧道、卻撞到石頭上的酸爽。
綠色并不有效，也不敞亮，還和我國知識產(chǎn)權保護的態(tài)度相違背。因此，依然還是要靠華大九天等公司自研崛起。那么， 這條出路有多寬呢？ 其實單純寫出一套軟件，難度并不大。關鍵還是要有海量豐富的IP、PDK，以及產(chǎn)業(yè)上下游的支持配合。單點突破未必有效，需要軍團全面突圍，而這并非一朝一夕之功。
三、材料：工匠精神最后的堡壘
2019年，日韓鬧了矛盾，雙方都很剛，但日本斷供了韓國幾款半導體材料后，沒多久韓國三星掌門人李在镕就飛往日本懇請松口了，后來他更是跑到比利時、中國臺灣，試圖繞道購買或者收點存貨過日。
按理說，韓國也是半導體強國，三星在設計、制造領域更是主要玩家，但面對區(qū)區(qū)幾億美金的材料，卻被鬧得狼狽不堪。
材料真的有這么難嗎？講真，半導體原始材料是非常豐富的，比如硅片用的就是滿地球的沙子。但要實現(xiàn)半導體的“材料自由”，卻并不容易，必須打通任督二脈： “純度”、“配方” 。
純度是一個無止境之路。我國已經(jīng)實現(xiàn)自產(chǎn)的光伏硅片，一般純度是6-8個9，即99.999999%，但半導體的硅片純度卻是11個9，而且還在不斷提高。小數(shù)點后多3到5位，就意味著雜質(zhì)含量相差了1000到10萬倍。
這個差距有多大呢？ 假設，光伏硅片里包含的雜質(zhì)，相當于一桶沙子灑在了操場上；那么半導體硅片的要求則是在兩個足球場大的面積里，只能容下一粒沙子。
那么， 為什么必須將雜質(zhì)含量降到這么低呢？ 因為原子的大小只有1/10納米，哪怕僅有幾個原子大小的雜質(zhì)出現(xiàn)在硅片上，也會徹底堵塞一條電路通道，導致芯片局部失靈。如果雜質(zhì)含量更高的話，甚至會和硅原子混在一起，直接改變硅片的原子排列結構，讓硅片的導電效率完全改變。
經(jīng)過刻蝕后的硅表面和錫顆粒，如同明月在金字塔后升起
要達到如此純度，需要科學和工藝的完美結合。
一方面，需要大量基礎科學儀器來輔助。比如在材料生產(chǎn)過程中，設備自身就會有金屬原子滲透影響純度，因此需要不斷改良。而要確認純度，也是高難度。就像特種氣體，就需要專門的儀器來檢測10億分之一（PPB級）的雜質(zhì)含量水平。實現(xiàn)這個難度，就不僅需要半導體企業(yè)，還需要奧林巴斯等光學企業(yè)出馬助力。
另一方面，從實驗室到工廠車間也需要工藝積累。材料制造，不僅對生產(chǎn)設備要求高，就連工廠里的地墊、拖把，也都是高級別特供。而且，生產(chǎn)車間溫度、濕度的不同，也會影響材料純度，就不得不反復嘗試后得出標準。
而高純度只是第一步，復合材料（比如光刻膠）的配置更是難以跨越的鴻溝。如果說 “純度”是個藝術科學的話，那么“配方”就是玄學科學 。
其實，無論提純、還是配置，基本的理論原理、工藝技術都不是難事兒。但如何選材、配比，從而實現(xiàn)極致的效果，卻需要高度依賴經(jīng)驗法則，即業(yè)內(nèi)常說的 “know-how” 。
同樣的材料，不同的配比就會有不同的效果；就像我們用紅黃藍三色去搭配，不同的配比就能得到不同的顏色。而即使用同樣的配方、采用同樣的工藝， 在不同的濕度、溫度甚至光照下，也會有不同，甚至相差很遠的效果。
這些影響材料效果的參數(shù)，無法通過精密計算獲得，只能是實驗室、車間里一次次調(diào)配、實驗、觀察、記錄、改良。有時候，為了得到10%的效果改良，可能需要花費幾年。然而，這提升的10%，雖然搶占的只是幾百億規(guī)模的市場，但卻影響著萬億半導體行業(yè)。
因此， 無論是提純，還是配方，其實需要的都是超長的耐心待機、極致專注。 這不禁令人會想到日本的壽司之神，一輩子只做壽司，而一個學徒僅擰毛巾就要練五年。雖然在生活中，這種執(zhí)著看起來有些迂腐可笑，但事實上，材料領域做得最好的，正是日本企業(yè)。
據(jù)SEMI推測，2019年日本企業(yè)在全球半導體材料市場，所占份額達到66%。19種主要材料中，日本有14種市占率超過50%。而在占據(jù)產(chǎn)值2/3的四大最核心的材料：硅片、光刻膠、電子特氣和掩膜膠等領域，日本有三項都占據(jù)了70%的份額。最新一代EUV光刻膠領域，日本的3家企業(yè)申請了行業(yè)80%以上的專利。
日本在材料產(chǎn)能上占據(jù)優(yōu)勢后，又用服務將客戶捆綁得死死的 。
許多半導體材料都有極強的腐蝕性和毒性，曾有一位特種氣體的供應商描述，一旦氣體泄漏，只需一瓶，就可以把整個廈門市人口消滅。因此，芯片制造商只能把材料的運輸、保存、檢測等環(huán)節(jié)，都交給材料的“娘家”材料商。
而另一方面，材料雖小、威力卻大。半導體制造中幾萬美金的材料不達標，就能讓耗資數(shù)十億美金生產(chǎn)線的產(chǎn)品大半報廢，因此制造商們只會選擇經(jīng)過認證的、長期合作的供應商。新進玩家，幾乎沒有上桌的機會。
而對于材料公司而言，下游用得越多，得到的反饋就越多，就有更多的案例支持、更多的驗證機會來提升工藝、改善配比，從而進一步拉大和追趕者的差距。對于后進者而言，商業(yè)處境用一句話來形容就是：一步趕不上、步步都白忙。
日本能取得這個成就，其實離不開日本“經(jīng)營之圣”稻盛和夫在上世紀80年代給日本規(guī)劃的方向：歐美先進國家不愿再轉讓技術的條件下，日本人除了將自己固有的“改良改善特質(zhì)”發(fā)揚光大之外，別無出路；各類企業(yè)都要在各自的專業(yè)領域內(nèi)做徹底，把技術做到極致，在本專業(yè)內(nèi)不亞于世界上任何國家的任何企業(yè)。
這種匠人精神，令日本在規(guī)模不大的材料領域，頂住美國、成為領主。
四、何處突圍
我們在做產(chǎn)業(yè)研究的時候，有個強烈的感受， 中國似乎在美國的打壓中，陷入一個被無限向上追溯的絕境：
發(fā)現(xiàn)芯片被卡脖子后，我們在芯片設計領域有了崛起的華為海思，但隨后就發(fā)現(xiàn)：還需要代工領域突破；當中芯國際攻堅芯片代工制造時，卻又發(fā)現(xiàn)：需要設備環(huán)節(jié)突破；當中微公司、北方華創(chuàng)在逆襲設備、有所收獲時，卻又發(fā)現(xiàn)：設備核心零部件又仰人鼻息；當零部件也有所進展時，又發(fā)現(xiàn)：芯片材料還是被卡脖子。
而當我們繼續(xù)一步步向前溯源、“圖窮匕見”時，才發(fā)現(xiàn)一切都回到了任正非此前無數(shù)次強調(diào)的 基礎科學 。
回顧來看，如果沒有1703年建立的現(xiàn)代二進制，那么兩百年后的機器語言就無從談起；如果沒有1874年布勞恩發(fā)現(xiàn)物理上的整流效應，那么就沒有大半個世紀后晶體管的發(fā)明和應用；而等離子物理、氣體化學，更是刻蝕機等關鍵設備的必備基礎。
而在美國大學中，有7所位列全球物理學科排名前十，有6所位列全球數(shù)學學科排名前十，有5所位列全球材料學科排名前十。 基礎科學強大的統(tǒng)治力，成為美國半導體公司汲取力量的源泉。
在強勢的基礎學科背后，卻又是1957年就已經(jīng)埋下伏筆的美國基礎學科支持體系—— 對大學基礎學科進行財政支持；通過超級 科技 項目帶領應用落地。
當年美蘇爭霸，蘇聯(lián)的全球第一顆人造衛(wèi)星升空刺激了美國執(zhí)政者，這也成為美國 科技 發(fā)展的重要轉折點：
一方面，為了保持“美國領先”，政府開始直接對研究機構發(fā)錢。美國國家科學基金會（NSF）給大學的基礎研究經(jīng)費從1955年的700萬美金，飆升到1968年的2億美金。在2018年，NSF用于基礎研究的經(jīng)費，更是高達42億美金。這長達50年的基礎研究經(jīng)費里， 美國聯(lián)邦政府出了一半 。
尤其值得一提的是，NSF每年為數(shù)以千計的基礎學科研究生提供獎學金，這其中誕生了 42位 諾貝爾獎得主。
另一方面， 美國啟動了超級工程來落地研發(fā)成果。 1958年，NASA成立，挑戰(zhàn)人類 科技 極限的阿波羅登月和航天飛機工程也就此啟動。
在研究需要250萬個零件的航天飛機過程中（作為對比，光刻機零件大約是10萬個，一輛 汽車 只有1萬多個零件），大量尖端技術找到用武之地；而這些當時“冷門”的尖端技術，又在條件成熟時，相繼轉化為殺手級民用品（比如從航天飛機零件中誕生的人造心臟、紅外照相機）。
航天飛機的技術外溢，并不是孤例。 醫(yī)院核磁共振設備中采用的超導磁鐵，也正是在美國粒子加速器“Tevatron”的研發(fā)中應用誕生。美國的超級 科技 工程，成為基礎學科成果的試驗田、練兵場和民用轉化泉。
事實上，通過基礎研究掌握源頭 科技 ，隨后一步步外溢建立產(chǎn)業(yè)霸權，這條路徑并不只是美國的專利，也應該是各個產(chǎn)業(yè)強國的選擇，更是面對美國打壓時一條真正可行的道路。王侯將相，寧有種乎。 避免無窮盡的“國產(chǎn)替代向上突破”的陷阱，實現(xiàn)和“基礎研究向下溢出”的大會師。
事實上，我們面臨的困難、打壓，日本也經(jīng)歷過。
上世紀八十年代后期，美國對日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)起突襲：政治封殺、商業(yè)打壓、關稅壓迫無所不用其極，尤其是培養(yǎng)了“新小弟”韓國來擠壓日本半導體產(chǎn)業(yè)。沒幾年，日本就從全球第一半導體強國寶座上跌落了。日本半導體引以為傲的三大楷模，松下、東芝、富士通的半導體部門先后被出售。
面對美國的壓制，日本選擇 進軍高精尖材料，用時間換空間、用匠心換信心。
1989年，韓國發(fā)力補貼存儲芯片，而日本通產(chǎn)省制定了投資160億日元的“硅類高分子材料研究開發(fā)基本計劃”，重點補貼信越化學為首的有機硅企業(yè)。
1995年，韓國發(fā)動第二輪存儲價格戰(zhàn)前夕，而日本東京應化（TOK）則實現(xiàn)了 KrF光刻膠商業(yè)化，打破了美國IBM長達10余年的壟斷，并在隨后第五年，其產(chǎn)品工藝成為行業(yè)標準，全球領先。
2005年，三星坐上存儲芯片老大的位置，而日本凸版印刷株式會社以710億日元收購了美國杜邦公司的光掩膜業(yè)務，成為光罩龍頭。
在韓國全力擴張產(chǎn)能，和其他半導體下游廠搏殺的日子里，日本一步步走到了材料霸主的寶座前。從看似掌握著無解優(yōu)勢的美國人手里，硬生生搶下了一把霸權劍。
但日本的成功僅僅是因為換了一個上游戰(zhàn)場嗎？顯然不是。在過去30年，三大自然科學領域， 日本共計收獲了16個諾貝爾獎，其中有6個都屬于是化學領域 ，而這些才是日本崛起的堅實地基。
我國的基礎研究怎么樣呢？2018年，我國基礎研究費用，在全年總研發(fā)支出中僅占5%，而這還是10年來占比最高的一年。而同期美國基礎研究占比則是17%，日本是12%。 在國內(nèi)各個學校論壇上，勸師弟師妹們從基礎學科轉向金融計算機等應用學科的帖子，層出不窮。
所以有人笑稱，陸家嘴學集成電路的，比張江還多。
今年7月份，更是爆出了中科院某所90多人集體離職的迷思。誠然，每個人都有擇業(yè)的自由，但需要警示的，是大家做出選擇的理由?；A學科研究的長周期、弱轉化、低收入，令研究員們在日益上漲的房價、動則數(shù)百億利潤造假套現(xiàn)面前，相形見絀。
任正非曾經(jīng)感嘆道：國家發(fā)展工業(yè)，過去的方針是砸錢，但錢砸下去不起作用。我們國家修橋、修路、修房子……已經(jīng)習慣了只要砸錢就行。但是芯片砸錢不行，得砸數(shù)學家、物理學家、化學家……
64年前，蘇聯(lián)率先發(fā)射的一顆衛(wèi)星讓美國驚醒。美國人一邊加碼“短期對抗”，一邊醞釀“長期創(chuàng)新”，從而開啟了多個領域的突破、領先；而今，一張張禁令也讓我們驚醒，我國不少產(chǎn)業(yè)只是表面上的大，急需要的是骨子里的強。
這些危機之痛，總是令人后悔不已。過去幾十年，落后就要挨打的現(xiàn)實一次次提醒著我們， 要實現(xiàn)基礎技術能力的創(chuàng)新和突破，才能贏取下一個時代。
三、半導體設備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)
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今天我們一起梳理一下北方華創(chuàng)，公司主要從事基礎電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術服務， 主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件 ，是國內(nèi)主流高端電子工藝裝備供應商，也是重要的高精密電子元器件生產(chǎn)基地。
公司電子工藝裝備主要包括半導體裝備、真空裝備和鋰電裝備 ，廣泛應用于集成電路、半導體照明、功率器件、微機電系統(tǒng)、先進封裝、新能源光伏、新型顯示、真空電子、新材料、鋰離子電池等領域。電子元器件主要包括電阻、電容、晶體器件、微波組件、模塊電源等，廣泛應用于精密儀器儀表、自動控制等高、精、尖特種行業(yè)領域。
半導體制造過程分為硅片制造、晶圓加工和封裝測試三個步驟。 半導體制造過程需要經(jīng)過幾百道復雜的工藝流程，但可以大致分為硅片制造、晶圓加工和封裝測試三大環(huán)節(jié)。 硅片制造是半導體制造的第一大環(huán)節(jié)，主要是將天然硅石通過提煉加工得到晶圓加工所需要的硅片，其涉及的主要設備包括單晶爐、切磨拋光設備。晶圓制造是通過數(shù)百道復雜工藝將硅片加工成半導體的過程，其涉及的主要設備包括熱處理、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、拋光和清洗等設備。 封裝和測試是將完成加工的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程，主要涉及的設備有分選機和測試機等。
半導體設備投資中晶圓加工設備占比達80%。 半導體設備在新建的晶圓廠資本支出中占比為80%，而在半導體設備中晶圓加工設備占比為80%，為最主要的資本支出項目，封裝測試設備占比15%，其余設備占比5%。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，在晶圓加工設備中，刻蝕機投資占比最高達30%，其次是薄膜沉積設備占比25%，光刻機占比23%，其余設備合計占比22%。 在各細分領域中，我國半導體設備企業(yè)具備競爭力的設備主要包括刻蝕設備、薄膜沉積設備以及清洗設備 。
2019年全球刻蝕設備規(guī)模約115億美元，市場集中度高，CR3達91%。 全球刻蝕設備主要由泛林半導體（LAM）、東京電子（TEL）和應用材料（AMAT）壟斷，其市場占有率分別為52%、20%和19%。 國內(nèi)主要的刻蝕設備企業(yè)包括中國電科、中微公司、北方華創(chuàng)和屹唐半導體。其中中微公司刻蝕產(chǎn)品以電容耦合刻蝕（CCP）為主，北方華創(chuàng)刻蝕產(chǎn)品以電感耦合刻蝕（ICP）為主 。
薄膜沉積設備以化學氣相沉積（CVD）為主，占比53%，物理氣相沉積（PVD）占比25%。 半導體薄膜沉積設備主要可以分為CVD、PVD和包括原子層沉積（ALD）在內(nèi)的其他沉積設備。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，三者的市場份額占比分別為53%、25%和18%。在CVD市場中。應用材料、泛林半導體和東京電子占據(jù)了70%的市場份額；在PVD市場中，應用材料市占率高達85%，處于絕對壟斷的地位。 國內(nèi)薄膜沉積設備龍頭有北方華創(chuàng)和沈陽拓荊。其中，北方華創(chuàng)產(chǎn)品線覆蓋CVD、PVD和ALD，沈陽拓荊主要覆蓋CVD和ALD 。
半導體清洗設備中，濕法清洗為主，占比90%，干法清洗占比10%。 隨著半導體制程推進，對工藝水平要求也越來越高，清洗工藝顯得越發(fā)重要。按照清洗原理來分，清洗設備可分為干法清洗設備和濕法清洗設備，其中濕法清洗設備市場占比達90%，是主要的清洗設備。清洗設備市場集中度較高，CR4達94%，其中Screen市占率54%，是清洗設備的主要生產(chǎn)商。 國內(nèi)清洗設備商主要有至純 科技 、北方華創(chuàng)和盛美半導體，盛美半導體目前主要產(chǎn)品是單片式清洗設備，北方華創(chuàng)和至純 科技 目前仍主要以槽式清洗為主，三者核心產(chǎn)品存在差異，正面競爭較少 。
近年來我國半導體設備市場正處于快速增長的階段，2015年我國半導體設備市場規(guī)模為49億美元，2019年在全球市場下降的情況下，大陸半導體設備市場規(guī)模達134.5億美元，同比增長2.6%，2015-2019年CAGR為28.7%，高于全球平均水平。 隨著今年國內(nèi)晶圓廠資本支出的上升，半導體設備將充分受益 ，根據(jù)SEMI的最新預測，2020年中國大陸半導體設備市場規(guī)模將達173億美元，同比增長28.6%。而在2020年國內(nèi)晶圓廠密集資本支出之后，2021年中國大陸半導體設備市場規(guī)模將小幅回落，市場規(guī)模為166億美元，同比下降4%，仍舊為全球最大半導體設備市場。
2019年國產(chǎn)半導體設備銷售額為161.82億元，同比增長30%。其中集成電路設備銷售額為71.29億元，同比增長55.5%。而中國大陸2019年半導體設備市場規(guī)模134.5億美元，國產(chǎn)化率約17%，具備較大國產(chǎn)替代空間 。
半導體設備是公司最重要的業(yè)務，也是未來最重要的發(fā)展方向。 北方華創(chuàng)作為國資背景的半導體設備國產(chǎn)化主力軍，承擔了863計劃和國家02專項等多個半導體設備公關研發(fā)項目，包括刻蝕設備、PVD和CVD設備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，公司承擔項目已部分完成驗收實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
在集成電路刻蝕設備方面，公司主要覆蓋ICP刻蝕設備，而中微公司主要覆蓋CCP刻蝕設備，兩者短期內(nèi)并不存在直接競爭的關系。 公司ICP刻蝕設備主要用于硅刻蝕和金屬材料的刻蝕，28nm制程以上刻蝕設備已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，在先進制程方面，公司硅刻蝕設備已經(jīng)突破14nm技術，進入上海集成電路研發(fā)中心，與客戶共同開展研發(fā)工作。
PVD是公司最具競爭力的半導體設備產(chǎn)品。 磁控濺射技術屬于PVD（物理氣相沉積）技術的一種，是制備薄膜材料的重要方法之一。北方華創(chuàng)突破了濺射源設計技術、等離子產(chǎn)生與控制技術、顆粒控制技術、腔室設計與仿真模擬技術、軟件控制技術等多項關鍵技術，實現(xiàn)了國產(chǎn)集成電路領域高端薄膜制備設備零的突破，設備覆蓋了90-14nm多個制程。根據(jù)公司官網(wǎng)消息，公司PVD設備被國內(nèi)先進集成電路芯片制造企業(yè)指定為28nm制程Baseline機臺，并成功進入國際供應鏈體系。
公司氧化擴散設備技術成熟，國內(nèi)市占率較高。 氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理，退火指集成電路工藝中所有在氮氣等不活潑氣氛中進行熱處理的過程。上述工藝廣泛用于半導體集成電路制造，北方華創(chuàng)的立式爐、臥式爐設備達到國內(nèi)半導體設備的領先水平，成為了主流廠商擴散氧化爐設備的優(yōu)選，實現(xiàn)了較高的設備國產(chǎn)化率。
公司依靠地理優(yōu)勢，提供優(yōu)質(zhì)本地服務，增強了產(chǎn)品競爭力。隨著國內(nèi)晶圓廠資本支出上升，半導體設備國產(chǎn)化步伐加快，公司近年來在長江存儲、華虹無錫、華力集成、上海積塔、燕東微電子等多個項目取得訂單。公司5/7nm先進制程設備研發(fā)項目有序推進，奠定公司長期競爭力 。
一、半導體設備龍頭企業(yè)
北方華創(chuàng)成立于2001年，前身可追溯到國家“一五”期間建設的軍工重點項目；2010年深交所上市；2015年七星電子和北方微電子戰(zhàn)略重組為北方華創(chuàng)；2016年完成重組并引進大基金等戰(zhàn)略投資者實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)與資本的融合；2017年更名北方華創(chuàng)；2018設立北方華創(chuàng)美國硅谷研究院，開展先進半導體設備技術研發(fā)；2019年募資20億元用于半導體設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目和高精密電子元器件擴產(chǎn)。
二、業(yè)務分析
2015-2020年，營業(yè)收入由8.54億元增長至60.56億元，復合增長率47.96%，20年同比增長49.23%，2021Q1實現(xiàn)營收同比增長51.76%至14.23億元；歸母凈利潤由0.39億元增長至5.37億元，復合增長率0.73%，20年同比增長73.75%，2021Q1實現(xiàn)歸母凈利潤同比增長175.27%至0.73億元；扣非歸母凈利潤分別為-0.05億元、-2.61億元、-2.08億元、0.76億元、0.70億元、1.97億元，20年同比增長180.81%，2021Q1實現(xiàn)扣非歸母凈利潤同比增長348.98%至0.32億元；經(jīng)營活動現(xiàn)金流分別為-0.44億元、-2.01億元、0.32億元、-0.20億元、-9.41億元、13.85億元，20年同比增長247.12%，2021Q1實現(xiàn)經(jīng)營活動現(xiàn)金流同比下降8.40%至6.61億元。
分產(chǎn)品來看，2020年電子工藝裝備實現(xiàn)營收同比增長52.58%至48.69億元，占比80.40%，毛利率減少5.79pp至29.44%；電子元器件實現(xiàn)營收同比增長37.46%至11.65億元，占比19.24%，毛利率增加6.26pp至66.15%；其他實現(xiàn)營收同比增長12.29%至2192.83萬元，占比0.36%。
2020年前五大客戶實現(xiàn)營收26.44億元，占比43.66%，其中第一大客戶實現(xiàn)營收11.77億元，占比19.43%。
三、核心指標
2015-2020年，毛利率由40.62%下降至17年低點36.59%，隨后逐年提高至19年40.53%，20年下降至36.69%；期間費用率16年上漲至高點64.11%，隨后逐年下降至19.19%，其中銷售費用率16年上漲至高點6.70%，隨后逐年下降至18年低點5.08%，而后上漲至5.84%，管理費用率16年上漲至高點55.72%，隨后逐年下降至19年低點13.75%，20年上漲至14.06%，財務費用率由1.96%下降至17年低點1.20%，隨后逐年上漲至19年高點2.44%，20年下降至-0.71%；利潤率由8.79%下降至17年低點7.53%，隨后逐年提高至14.06%，加權ROE由2.09%提高至8.51%。
四、杜邦分析
凈資產(chǎn)收益率=利潤率*資產(chǎn)周轉率*權益乘數(shù)
由圖和數(shù)據(jù)可知，15-17年凈資產(chǎn)收益率的提高是由于資產(chǎn)周轉率和權益乘數(shù)的提高，18年凈資產(chǎn)收益率的提高是由于利潤率、資產(chǎn)周轉率和權益乘數(shù)共振提高所致，19年 凈資產(chǎn)收益率的下降是由于權益乘數(shù)的下降，20年凈資產(chǎn)收益率的提高是由于利潤率和資產(chǎn)周轉率的提高。
五、研發(fā)支出
20年公司研發(fā)投入同比增長41.39%至16.08億元，占比26.56%，資本化10.52億元，資本化率65.38%；截止2020年末公司研發(fā)人員1415人，占比23.67%。
六、估值指標
PE-TTM 150.18，位于近3年50分位值附近。
根據(jù)機構一致性預測，北方華創(chuàng)2023年業(yè)績增速在33.45%左右，EPS為2.84元，18-23年5年復合增長率43.33%。目前股價176.46元，對應2023年估值是PE 61.97倍左右，PEG 1.85左右。
看點：
公司作為國內(nèi)半導體設備龍頭企業(yè)，深度布局半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備和精密元器件，產(chǎn)品體系具有較強競爭力，同時在技術研發(fā)、客戶卡位等方面優(yōu)勢明顯，疊加晶圓廠擴產(chǎn)潮再度開啟，國產(chǎn)替代進程提速可期，公司核心競爭優(yōu)勢凸顯，有望引領半導體設備國產(chǎn)替代大潮崛起。
四、半導體芯片設備黑馬股，國內(nèi)前三位居第一梯隊，業(yè)績營收穩(wěn)定增長
在半導體芯片制造中，“光刻”和“刻蝕”是兩個緊密相連的步驟，它們也是非常關鍵的步驟。 “光刻”等同于通過投影在晶片上“繪制”電路圖。此時，電路圖實際上并未繪制在晶圓上，而是繪制在晶圓表面的光刻膠上。光刻膠的表面層是光致抗蝕劑，光敏材料將在曝光后降解。 “蝕刻”是實際上沿著光致抗蝕劑的表面顯影以在晶片上雕刻電路圖的圖案。
半導體芯片設備蝕刻機在芯片制造領域處于國內(nèi)替代的最前沿。有三個核心環(huán)節(jié)，分別是薄膜沉積，光刻和刻蝕。刻蝕是通過化學或物理方法選擇性地蝕刻或剝離基板或表面覆蓋膜的表面以形成由光刻法限定的電路圖案的過程。
其中，光刻是最復雜，最關鍵，最昂貴和最耗時的環(huán)節(jié)。刻蝕的成本僅次于光刻，其重要性正在提高。薄膜沉積也是必不可少的重要過程。為了實現(xiàn)大型集成電路的分層結構，需要重復沉積-蝕刻-沉積的過程。
隨著國際高端量產(chǎn)芯片從14nm到10nm到7nm，5nm甚至更小芯片的發(fā)展，當前市場上普遍使用的浸沒式光刻機受到光波長的限制，密鑰尺寸無法滿足要求，因此必須采用多個模板過程。 使用蝕刻工藝來達到較小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提高。
刻蝕機是芯片制造和微處理的最重要設備之一。它使用等離子蝕刻技術，并使用活性化學物質(zhì)在硅晶圓上蝕刻微電路。 7nm工藝相當于人發(fā)直徑的千分之一，這是人在大型生產(chǎn)線上可以制造的最小集成電路布線間距，接近微觀加工的極限。盡管我國的半導體設備行業(yè)與國際巨頭之間仍然存在差距，但我們可以看到，無論是受環(huán)境，下游需求還是研發(fā)能力的驅動，國內(nèi)半導體設備行業(yè)都發(fā)生了質(zhì)的飛躍。
中微公司主要從事高端半導體芯片設備，包括半導體芯片集成電路制造，先進封裝，LED生產(chǎn)，MEMS制造以及其他具有微工藝的高端設備。該 公司的等離子蝕刻設備已專門用于國際一線客戶的集成電路和65nm至14nm，7nm和5nm先進封裝的加工和制造。其中，7nm / 5nm蝕刻技術是國內(nèi)稀缺性的技術。 該公司的MOCVD設備已在行業(yè)領先客戶的生產(chǎn)線上投入批量生產(chǎn)，已成為基于GaN的LED的全球領先制造商。
公司的客戶包括國內(nèi)外的主流晶圓廠和LED制造商。隨著公司產(chǎn)品性能的不斷提高，客戶的認可度和豐富度也在不斷提高。公司生產(chǎn)的蝕刻設備的主要客戶包括 全球代工領導者臺積電，大陸代工領導者中芯國際，聯(lián)電，海力士，長江存儲等，光電廠商華燦光電、璨揚光電、三安光電 等。隨著中微股份在半導體芯片設備領域的不斷發(fā)展，公司在IC制造，IC封裝和測試以及LED行業(yè)中的滲透率不斷提高，并且越來越多國際廠商已成為公司的主要客戶。公司開發(fā)的5nm蝕刻機已通過臺積電的驗證。 Prismo A7設備在全球基于氮化鎵的LED MOCVD市場中處于領先地位，成功超過了傳統(tǒng)的領先企業(yè)Veeco和Aixtron。
中微公司的主要業(yè)務是蝕刻設備和MOCVD設備的生產(chǎn)和銷售，并處于國內(nèi)半導體設備市場的前列。與公司有可比性的公司包括領先的國際蝕刻設備LAM和MOCVD設備領先的Veeco，以及國內(nèi)兩級半導體設備公司北方華創(chuàng)和精測電子。 在蝕刻設備市場上，中微公司與LAM之間存在很大差距，在MOCVD設備領域，中微公司具有與Veeco相近的實力。從國內(nèi)來看，中微公司和精測電子處于同一水平，僅次于北華創(chuàng)，主要是因為公司是半導體芯片設備的后起之秀?？傮w而言，中微公司處于國內(nèi)半導體芯片設備的第一梯隊。
2020年前三季度，營業(yè)收入為14.8億元，同比增長21.3％，歸屬于母公司所有者的凈利潤為2.8億元，同比大幅增長105.3％?？鄯莾衾麧?4547.3萬元，同比下降138.1％。其中，前三季度非經(jīng)常性損益為2.44億元。剔除政府補貼，確認的公允價值變動損益為1.55億元，這主要是由于公司對中芯國際A股股權價值變動的投資以及LED芯片的供過于求。隨著價格持續(xù)下降，下游企業(yè)面臨毛利率和庫存的雙重壓力。
A股上市公司半導體芯片刻蝕設備黑馬股中微公司自2020年7月見頂后保持中期下降趨勢，主力籌碼相對較少控盤不足，據(jù)大數(shù)據(jù)統(tǒng)計，主力籌碼約為21%，主力控盤比率約為31%； 趨勢研判與多空研判方面，可以參考15日與45日均線的排列關系，中短期以15日均線作為多空參考，中期以45日均線作為多空參考。
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